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靜電場(chǎng)描繪實(shí)驗報告

時(shí)間:2020-12-08 16:39:21 報告 我要投稿

靜電場(chǎng)描繪實(shí)驗報告

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靜電場(chǎng)描繪實(shí)驗報告

  【實(shí)驗目的】

  1.學(xué)習用模擬法測繪靜電場(chǎng)的原理和方法。

  2.加深對電場(chǎng)強度和電位要領(lǐng)的理解。

  3.用作圖法處理數據。

  【實(shí)驗儀器】

  靜電場(chǎng)描繪儀、靜電場(chǎng)描繪儀信號源、導線(xiàn)、數字電壓表、電極、同步探針、坐標紙等。

  【實(shí)驗原理】

  在一些科學(xué)研究和生產(chǎn)實(shí)踐中,往往需要了解帶電體周?chē)o電場(chǎng)的分布情況。一般來(lái)說(shuō)帶電體的形狀比較復雜,很難用理論方法進(jìn)行計算。用實(shí)驗手段直接研究或測繪靜電場(chǎng)通常也很困難。因為儀表(或其探測頭)放入靜電場(chǎng),總要使被測場(chǎng)原有分布狀態(tài)發(fā)生畸變;除靜電式儀表之外的一般磁電式儀表是不能用于靜電場(chǎng)的直接測量,因為靜電場(chǎng)中不會(huì )有電流流過(guò),對這些儀表不起作用。所以,人們常用“模擬法”間接測繪靜電場(chǎng)分布。

  1、模擬的理論依據

  模擬法在科學(xué)實(shí)驗中有極廣泛的應用,其本質(zhì)上是用一種易于實(shí)現、便于測量的物理狀態(tài)或過(guò)程的研究,以代替不易實(shí)現、不便測量的狀態(tài)或過(guò)程的研究。 為了克服直接測量靜電場(chǎng)的困難,我們可以仿造一個(gè)與靜電場(chǎng)分布完全一樣的電流場(chǎng),用容易直接測量的電流場(chǎng)模擬靜電場(chǎng)。

  靜電場(chǎng)與穩恒電流場(chǎng)本是兩種不同場(chǎng),但是它們兩者之間在一定條件下具有相似的空間分布,即兩場(chǎng)遵守的規律在形式上相似。它們都可以引入電位U,而且電場(chǎng)強度E=-△U/△l;它們都遵守高斯定理:對靜電場(chǎng),電場(chǎng)強度在無(wú)源區域內滿(mǎn)足以下積分關(guān)系

  ∮E·ds = 0 ∮E·d l = 0

  對于穩恒電流場(chǎng),電流密度矢量J在無(wú)源區域內也滿(mǎn)足類(lèi)似的積分關(guān)系

  ∮J·ds = 0 ∮J·d l = 0

  由此可見(jiàn),E和J在各自區域中滿(mǎn)足同樣的數學(xué)規律。若穩恒電流空間均勻充滿(mǎn)了電導率為σ的不良導體,不良導體內的電場(chǎng)強度E′與電流密度矢量J之間遵循歐姆定律

  J=σE′

  因而,E和E′在各自的區域中也滿(mǎn)足同樣的數學(xué)規律。在相同邊界條件下,由電動(dòng)力學(xué)的理論可以嚴格證明:像這樣具有相同邊界條件的相同方程,其解也相同。因此,我們可以用穩恒電流場(chǎng)來(lái)模擬靜電場(chǎng)。也就是說(shuō)靜電場(chǎng)的電力線(xiàn)和等勢線(xiàn)與穩恒電流場(chǎng)的電流密度矢量和等位線(xiàn)具有相似線(xiàn)的分布,所以測定出穩恒電流場(chǎng)的電位分布也就求得了與它相似的`靜電場(chǎng)的電場(chǎng)分布。

  2、模擬條件

  模擬方法的使用有一定條件和范圍,不能隨意推廣,否則將會(huì )得到荒謬的結論。用穩流電場(chǎng)模擬靜電場(chǎng)的條件可歸納為幾點(diǎn):

  (1)穩流場(chǎng)中電極形狀應與被模擬的靜電場(chǎng)的帶電體幾何形狀相同。

  (2)穩流場(chǎng)中的導電介質(zhì)應是不良導體且電阻率分布均勻,并滿(mǎn)足σ

  才能保證電流場(chǎng)中的電極(良導體)的表面也近似是一個(gè)等位面。

  (3)模擬所用電極系統與被模擬電極系統的邊界條件相同。

  3、同軸圓柱形電纜的靜電場(chǎng)

  利用穩恒電流的電場(chǎng)和相應的靜電場(chǎng)其空間形成一致性,則只要保證電極形狀一定,電極電位不變,空間介質(zhì)均勻,在任何一個(gè)考察點(diǎn),均應有U穩恒=U靜電,或E穩恒電極≥σ導電質(zhì)=E靜電。下面

  圖 1

  以同軸圓柱形電纜的“靜電場(chǎng)”和相應的模擬場(chǎng)—“穩恒電流場(chǎng)”來(lái)討論這種等效性。如圖10(a)所示,在真空中有一半徑a的長(cháng)圓柱導體A和一個(gè)內徑b的長(cháng)圓筒導體B,它們同軸放置,分別帶等量異號電荷。由高斯定理可知,在垂直于軸線(xiàn)上的任何一個(gè)截面S內,有均勻分布輻射狀電力線(xiàn),這是一個(gè)與坐標Z無(wú)關(guān)的二維場(chǎng)。在二維場(chǎng)中電場(chǎng)強度E正平行于xy平面,其等位面為一簇同軸圓柱面。因此,只需研究任一垂直橫截面上的電場(chǎng)分布即可。

  距軸心O半徑為r處(圖1(b))的各點(diǎn)電場(chǎng)強度為

  E 20r

  式中λ為A(或B)的電荷線(xiàn)密度。其電位為

  UrUaEdrUaarr1n (1) 20a

  Ua 201na若rb時(shí),Ub = 0則有

  代入式(1)得 UrUa

  距中心r 處場(chǎng)強為 Er1n(b/r) (2) 1n(b/a)UadUr1 (3) dr1n(b/a)r

  其中A、B間不是真空,而是充滿(mǎn)一種均勻的不良導體,且A和B分別與電流的正負極相連,見(jiàn)圖2同軸電纜模擬電極間形成徑向電流,建立一個(gè)穩恒電流場(chǎng)Er?梢宰C明不良導體中的電場(chǎng)強度Er與原真空中的靜電場(chǎng)Er是相同的。

  4、同軸圓柱形電級間的電流場(chǎng)

  取厚為t的圓柱形同軸不良導體片來(lái)研究,材料的電阻率為ρ則半徑r的圓周到半徑為(r+dr)的圓周之間的不良導體薄塊的電阻為

  dRdr (4) 2tr

  半徑r到b之間的圓柱片電阻為

  Rrbbdrb1n (5) r2tr2tr

  由此可知半徑a到b之間圓柱片的電阻為

  (a)

  圖2 同軸電纜模擬電極 Rabb1n (6) 2ta

  若設U0 = 0,則徑向電流為

  IUa2tUa (7) Rab1n(b/a)

  1n(b/r) (8) 1n(b/a)距中心r處的電位為 UrIRrbUa

  則穩恒電流場(chǎng)Er′為

  UadUr1Er (9) dr1n(b/a)r

  可見(jiàn)式(2)與式(8)具有相同形式,說(shuō)明穩恒電流場(chǎng)與靜電場(chǎng)的電位分布函數完全相同。即柱面之間的電位Ur與1nr均為直線(xiàn)關(guān)系。并且(Ur/Ua)相對電位僅是坐標的函數,與電場(chǎng)電位的絕對值無(wú)關(guān)。顯而易見(jiàn),穩恒電流的電場(chǎng)E′與靜電場(chǎng)E的分布也是相同的。因為EdUrdUrE (10) drdr

  實(shí)際上,并不是每種帶電體的靜電場(chǎng)及模擬場(chǎng)的電位分布函數都能計算出來(lái),只有在σ分布均勻幾種形狀對稱(chēng)規則的特殊帶電體的場(chǎng)分布才能用理論嚴格計算。上面只是通過(guò)一個(gè)特例,證明了用穩恒電流場(chǎng)模擬靜電場(chǎng)的可行性。

  5、電場(chǎng)的測繪方法

  由(10)式可知,場(chǎng)強E在數值上等于電位梯度,方向指向電位降落的方向?紤]到E是矢量,U是標量,從實(shí)驗測量來(lái)講,測量電位比測定場(chǎng)強容易實(shí)現,所以可先測繪等位線(xiàn),然后根據電力線(xiàn)與等位線(xiàn)正交原理,畫(huà)出電力線(xiàn)。這樣就可由等位線(xiàn)的間距,電力線(xiàn)的疏密和指向,將抽象的電場(chǎng)形象地反映出來(lái)。

  靜電場(chǎng)描繪儀(包括水槽、雙層固定支架、同步探針等),如圖3所示,支架采用雙層式結構,上層放記錄紙,下層放帶電極水槽。并將電極引線(xiàn)接出到外接線(xiàn)柱上,電極間有電導率遠小于電極且各向均勻的導電介質(zhì)水。接通交流電源就可進(jìn)行實(shí)驗。在導電玻璃和記錄紙上方各有一探針,通過(guò)金屬探針臂把兩探針固定在同一手柄座上,兩探針始終保持在同一鉛垂線(xiàn)上。移動(dòng)手柄座時(shí),可保證兩探針的運動(dòng)軌跡是一樣的。由水槽上方的穿梭針找到待測點(diǎn)后,按一下記錄紙上方的探針,在記錄紙上留下一個(gè)對應的標記。移動(dòng)同步探針在水槽中找出若干電位相同的點(diǎn),由此即可描繪出等位線(xiàn)。

  使用方法:

  (1)接線(xiàn)

  靜電場(chǎng)測試儀信號源的輸出接線(xiàn)柱與電極接線(xiàn)柱相連,將探針架放好,并使探

  針下探頭置于放有電極的水槽中,開(kāi)啟開(kāi)關(guān),指示燈亮,有數字顯示。電壓表示值圖3 K為電場(chǎng)中某點(diǎn)對負極的電壓值。

  (2)測量

  調節靜電場(chǎng)測試儀電源前面板上電壓調節旋鈕,將開(kāi)關(guān)K打在電源電壓上,電表顯示所加的電壓值,單位為伏特,一般調到10V,便于運算。然后將開(kāi)關(guān)打在測量,橫移動(dòng)探針架,數顯示表示值隨著(zhù)運動(dòng)而變化,從而測出每條等位線(xiàn)上的幾個(gè)電壓相等的點(diǎn)。

  (3)記錄

  在描繪架上鋪平坐標紙,用螺釘夾住,當電壓表顯示讀數認為需要記錄時(shí),輕輕按下記錄紙上的探針并在坐標紙上,記錄電壓,為實(shí)驗清楚快捷,每等位線(xiàn)不少于8個(gè)點(diǎn),然后用光滑曲線(xiàn)連接即可。

  【實(shí)驗內容】

  1、長(cháng)直同軸圓柱面電極間的電位分布

  (1)將電極水槽中加入適量的水,然后把它放在上層靜電場(chǎng)描繪儀的下層;

  (2)按圖連接好電路,電壓表及探針聯(lián)合使用。

  (3)把坐標紙放在靜電場(chǎng)描繪儀的上層,并用四個(gè)螺釘夾好。

  (4)調節靜電場(chǎng)描繪儀的電源(大約10V)。

  (5)移動(dòng)探針座使探針在水中緩慢移動(dòng),用數字電壓表測量電位差,找到等位點(diǎn)時(shí)按下坐標紙上的標記指針,做出標記。分別作出6V、5 V、4 V、3 V、2V的五條等位線(xiàn),每條等位點(diǎn)不得少于8個(gè)。

  (6)根據等位點(diǎn)描繪等位線(xiàn),并標出每條等位線(xiàn)的電位。

  (7)根據電力線(xiàn)和等位線(xiàn)垂直的提點(diǎn),描繪被模擬空間中的電力線(xiàn)。

  2、不規則電極間電位分布

  (1)將水槽中的電極更換成兩圓柱面型。

  (2)重復內容一中的操作,分別作出8V、7 V、6V、5 V、4 V、3 V、2V的7條等位線(xiàn)。

  【數據記錄與處理】

  1、同軸圓柱面型電極間電位分布

  (1)根據等位點(diǎn)描繪被模擬空間中的等位線(xiàn)。

  (2)根據電力線(xiàn)和等位線(xiàn)垂直的提點(diǎn),畫(huà)出被模擬空間中的電力線(xiàn)。 (3)測量每條電位線(xiàn)的半徑計算對應的電位理論值,并與實(shí)驗值比較計算相對誤差,將數據填入以下表格。

  表:Ua V a mm b mm

  (1)根據等位點(diǎn)描繪被模擬空間中的等位線(xiàn)。

  (2)根據電力線(xiàn)和等位線(xiàn)垂直的提點(diǎn),畫(huà)出被模擬空間中的電力線(xiàn)。 注意:將圖線(xiàn)粘貼在實(shí)驗報告上

   【思考題】

  (1)用模擬法測的電位分布是否與靜電場(chǎng)的電位分布一樣?

  (2)如果實(shí)驗時(shí)電源電壓有效值不穩定,那么是否會(huì )改變電力線(xiàn)和等位線(xiàn)的分布?為什么?

  (3)試從你測繪的等位線(xiàn)和電力線(xiàn)分布圖,分析何處電場(chǎng)強度較強,何處電場(chǎng)強度較弱。

   【注意事項】

  (1)水槽由有機玻璃制成的,實(shí)驗時(shí)要輕拿輕放,以免破碎。

  (2)水層厚度要保持一致,即水槽要水平放置,以保證導電介質(zhì)的均勻性,且水不要過(guò)多也不要過(guò)少,水面要到達探針但不要淹沒(méi)電極。

  (3)電極、探針要和導線(xiàn)接觸良好。

  (4)實(shí)驗完畢后,要將電極從水槽中拿出來(lái)放在毛巾上,以免電極生銹。并將儀器擺放整齊。

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