筆記本內存條知識

筆記本內存條知識1

　　目前主流的筆記本內存規格

　　目前市場(chǎng)是比較常見(jiàn)的內存條的一般都是DDR2和DDR3這兩種。一般都是512MB、1G、2G的。DDR3是目前最主流的。但是也是最貴的筆記本內存條。

　　筆記本內存條中間有一個(gè)小卡口，而且不在正中間，這樣能避免插反。我做了個(gè)筆記本內存插法的圖片。

　　筆記本內存的安裝方法圖

　　筆記本內存安裝方法

　　筆記本內存條安裝方法

　　這就是疊起來(lái)插兩根內存條的筆記本內存插槽。

　　筆記本內存概況

　　由于筆記本電腦整合性高，設計精密，對于內存的要求比較高，筆記本內存必須符合小巧的特點(diǎn)，需采用優(yōu)質(zhì)的元件和先進(jìn)的工藝，擁有體積小、容量大、速度快、耗電低、散熱好等特性。出于追求體積小巧的考慮，大部分筆記本電腦最多只有兩個(gè)內存插槽。由于筆記本的`內存擴展槽很有限，因此單位容量大一些的內存會(huì )顯得比較重要。而且這樣做還有一點(diǎn)好處，就是單位容量大的內存在保證相同容量的時(shí)候，會(huì )有更小的發(fā)熱量，這對筆記本的穩定也是大有好處的。

　　現代DDR2 667 2G筆記本內存

　　這個(gè)667的意思是內存的工作頻率，越高越好，目前最高的是1333MHz

　　DDR2和DDR3筆記本內存

　　DDR2和DDR3： 大家知道SDRAM內存傳輸數據時(shí)一次只能傳輸1 bit的數據，在SDRAM內存上發(fā)展起來(lái)的DDR ,DDR2,DDR3，一次分別能傳輸2 bit ，4 bit，8 bit的數據。DDR 2的工作頻率從667MHZ到1066MHZ不等，工作電壓為 1.8V；DDR3 工作頻率從1066MHz到1666MHZ，工作電壓為1.5V。因此，從DDR2到DDR3，性能更好，功耗更低。

筆記本內存條知識2

　　電腦內存條購買(mǎi)注意事項

　　1. 盡量和你原來(lái)的筆記本要同品牌（建議）。

　　2. 容量可以不同，頻率最好相同

　　3. 如果是游戲發(fā)燒友的話(huà)，不但以上參數要匹配，最好連內存條生產(chǎn)周都要相同，這樣最穩定.

　　4.只要弄清楚你筆記本是DDR400 DDR2 800 DDR3 1333哪種類(lèi)型的內存就好了。插槽不用去管。

　　5.首先看你的主板最大支持多大的內存，然后買(mǎi)同代、同頻率的即可，品牌可以不同，因為都是通用的行業(yè)標準

　　6.要注意同代 同頻率，一般就這兩個(gè)7.

　　7.下載一個(gè)魯大師之類(lèi)的，硬件檢測就可以看出來(lái)，DDR2 是內存類(lèi)型，后面的數字是工作頻率！百度搜索了下，你的'本本最多支持2G內存，根據你的本本型號，2代內存，極有可能是667MHZ的，你可以買(mǎi)800MHZ的，內存可以降頻使用，方便以后升級！當然你買(mǎi)667的也沒(méi)有問(wèn)題！

筆記本內存條知識3

　　1.品牌

　　筆記本的內存分品牌、DDR代數、規格、大小以及顯存顆粒的品牌。品牌大家應該都了解，任何產(chǎn)品都有生產(chǎn)商。筆記本用內存品牌比較有名的比如金士頓、三星、南亞以及海力士之類(lèi)的，這些品牌的內存條在筆記本上面用的非常的廣泛。

　　2.DDR代數

　　其次是DDR代數，進(jìn)過(guò)多年的技術(shù)改革，內存條已經(jīng)開(kāi)始廣泛使用第三代內存了。而在使用的筆記本中其實(shí)還是以二代內存居多，一代顯得有點(diǎn)少了。大小就不用疑問(wèn)了，基本上現在最小的都是2GB了，標準4GB內存，筆記本的內存條最大的容量已經(jīng)達到16GB，當然這是能夠在市場(chǎng)上面見(jiàn)得到的，至于更高級的我們可能見(jiàn)不到。

　　3.顯存顆粒

　　顯存顆粒，就是內存條板材上面的黑色小芯片，內存好不好，內存顆粒就有著(zhù)很大的決定性。有可能你買(mǎi)的是金士頓的內存條，但是上面確實(shí)海力士的顯存顆粒，這種內存條在我們看來(lái)就不是特別好，要品牌與內存顆粒是一樣的.，質(zhì)量會(huì )更好。

　　以上說(shuō)的是關(guān)于筆記本內存條方面的知識，我們來(lái)說(shuō)如果新加的內存條與本機不兼容，會(huì )有什么情況出現。內存條加好了，電腦就能夠運行的更暢快，如果你添加的內存條與電腦不兼容，直接一點(diǎn)的就是電腦一開(kāi)機就會(huì )藍屏，如果不把新加的條子拿下來(lái)就什么都解決不了。情況好一點(diǎn)的就是電腦越來(lái)越卡了，還沒(méi)有以往的速度，最好不過(guò)的就是與以往的速度沒(méi)有什么區別。這就是浪費資源了。

　　內存條的添加其實(shí)很簡(jiǎn)單，你要知道自己筆記本里面是使用的什么內存條，比如三星DDR2 800 1G的內存條，那么你如果要加1G的話(huà)，也要完全按照這個(gè)規格來(lái)，不能去搞個(gè)DDR2 667 1G的，這就有點(diǎn)沖突了�；蛘吒�直接一點(diǎn)的就是拋棄原先的條子，直接上一根其他品牌的4G或者8GB內存（筆記本要最大支持為前提），這樣也會(huì )有很好的效果。

筆記本內存條知識4

　　ROM和RAM指的都是半導體存儲器，ROM是Read Only Memory的縮寫(xiě)，RAM是Random Access Memory的縮寫(xiě)。

　　ROM在系統停止供電的時(shí)候仍然可以保持數據，而RAM通常都是在掉電之后就丟失數據，典型的RAM就是計算機的內存。

　　RAM有兩大類(lèi)，一種稱(chēng)為靜態(tài)RAM（StaticRAM/SRAM），SRAM速度非�？�，是目前讀寫(xiě)最快的存儲設備了，但是它也非常昂貴，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一級緩沖，二級緩沖。另一種稱(chēng)為動(dòng)態(tài)RAM（Dynamic RAM/DRAM），DRAM保留數據的時(shí)間很短，速度也比SRAM慢，不過(guò)它還是比任何的ROM都要快，但從價(jià)格上來(lái)說(shuō)DRAM相比SRAM要便宜很多，計算機內存就是DRAM的。 DRAM分為很多種，常見(jiàn)的主要有FPRAM/FastPage、 EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等，這里介紹其中的一種DDR RAM。

　　DDR RAM（Date-Rate RAM）也稱(chēng)作DDR SDRAM，這種改進(jìn)型的RAM和SDRAM是基本一樣的，不同之處在于它可以在一個(gè)時(shí)鐘讀寫(xiě)兩次數據，這樣就使得數據傳輸速度加倍了。這是目前電腦中用得最多的內存，而且它有著(zhù)成本優(yōu)勢，事實(shí)上擊敗了Intel的另外一種內存標準－Rambus DRAM。在很多高端的顯卡上，也配備了高速DDR RAM來(lái)提高帶寬，這可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。

　　內存工作原理：

　　內存是用來(lái)存放當前正在使用的（即執行中）的數據和程序，我們平常所提到的計算機的內存指的是動(dòng)態(tài)內存（即DRAM），動(dòng)態(tài)內存中所謂的"動(dòng)態(tài)"，指的是當我們將數據寫(xiě)入 DRAM后，經(jīng)過(guò)一段時(shí)間，數據會(huì )丟失，因此需要一個(gè)額外設電路進(jìn)行內存刷新操作。具體的工作過(guò)程是這樣的：一個(gè)DRAM的存儲單元存儲的是0還是1取決于電容是否有電荷，有電荷代表1，無(wú)電荷代表0。但時(shí)間一長(cháng)，代表1的電容會(huì )放電，代表0的電容會(huì )吸收電荷，這就是數據丟失的原因；刷新操作定期對電容進(jìn)行檢查，若電量大于滿(mǎn)電量的1／2，則認為其代表1，并把電容充滿(mǎn)電；若電量小于1／2，則認為其代表0，并把電容放電，藉此來(lái)保持數據的連續性。

　　ROM

　　也有很多種，PROM是可編程的ROM，PROM和EPROM（可擦除可編程ROM）兩者區別是，PROM是一次性的，也就是 軟件灌入后，就無(wú)法修改了，這種是早期的產(chǎn)品，現在已經(jīng)不可能使用了，而EPROM是通過(guò)紫外光的照射擦出原先的程序，是一種通用的存儲器。另外一種EEPROM是通過(guò)電子擦出，價(jià)格很高，寫(xiě)入時(shí)間很長(cháng)，寫(xiě)入很慢。

　　舉個(gè)例子，手機軟件一般放在EEPROM中，我們打電話(huà)，有些最后撥打的號碼，暫時(shí)是存在SRAM中的，不是馬上寫(xiě)入通過(guò)記錄（通話(huà)記錄保存在EEPROM中），因為當時(shí)有很重要工作（通話(huà)）要做，如果寫(xiě)入，漫長(cháng)的等待是讓用戶(hù)忍無(wú)可忍的。

　　DRAM

　　利用MOS管的柵電容上的電荷來(lái)存儲信息，一旦掉電信息會(huì )全部的丟失，由于柵極會(huì )漏電，所以每隔一定的時(shí)間就需要一個(gè)刷新機構給這些柵電容補充電荷，并且每讀出一次數據之后也需要補充電荷，這個(gè)就叫動(dòng)態(tài)刷新，所以稱(chēng)其為動(dòng)態(tài)隨機存儲器。由于它只使用一個(gè)MOS管來(lái)存信息，所以集成度可以很高，容量能夠做的很大。SDRAM比它多了一個(gè)與CPU時(shí)鐘同步。

　　SRAM

　　利用寄存器來(lái)存儲信息，所以一旦掉電，資料就會(huì )全部丟失，只要供電，它的資料就會(huì )一直存在，不需要動(dòng)態(tài)刷新，所以叫靜態(tài)隨機存儲器。

　　以上主要用于系統內存儲器，容量大，不需要斷電后仍保存數據的。

　　PSRAM

　　PSRAM ，假靜態(tài)隨機存儲器。具有一個(gè)單晶體管的DRAM儲存格，與傳統具有六個(gè)晶體管的SRAM儲存格或是四個(gè)晶體管與two-load resistor SRAM儲存格大不相同，但它具有類(lèi)似SRAM的穩定接口，內部的DRAM架構給予PSRAM一些比low-power 6TSRAM優(yōu)異的長(cháng)處，例如體積更為輕巧，售價(jià)更具競爭力。目前在整體SRAM市場(chǎng)中，有90%的制造商都在生產(chǎn)PSRAM組件。在過(guò)去兩年，市場(chǎng)上重要的SRAM/PSRAM供貨商有Samsung、Cypress、Renesas、Micron與Toshiba等。

　　基本原理：PSRAM就是偽SRAM，內部的內存顆粒跟SDRAM的顆粒相似，但外部的接口跟SRAM相似，不需要SDRAM那樣復雜的控制器和刷新機制，PSRAM的接口跟SRAM的接口是一樣的。

　　PSRAM容量有8Mbit,16Mbit,32Mbit等等，容量沒(méi)有SDRAM那樣密度高，但肯定是比SRAM的容量要高很多的，速度支持突發(fā)模式，并不是很慢，Hynix，Coremagic, WINBOND .MICRON. CY等廠(chǎng)家都有供應，價(jià)格只比相同容量的SDRAM稍貴一點(diǎn)點(diǎn)，比SRAM便宜很多。

　　PSRAM主要應用于手機，電子詞典，掌上電腦，PDA,PMP.MP3/4,GPS接收器等消費電子產(chǎn)品與SRAM(采用6T的技術(shù))相比,PSRAM采用的是1T+1C的技術(shù),所以在體積上更小,同時(shí),PSRAM的I/O接口與SRAM相同.在容量上,目前有4MB,8MB,16MB,32MB,64MB和128MB。比較于SDRAM,PSRAM的功耗要低很多。所以對于要求有一定緩存容量的很多便攜式產(chǎn)品是一個(gè)理想的選擇。

　　FLASH

　　存儲器又稱(chēng)閃存，它結合了ROM和RAM的長(cháng)處，不僅具備電子可擦除可編程（EEPROM）的性能，還不會(huì )斷電丟失數據同時(shí)可以快速讀取數據（NVRAM的優(yōu)勢），U盤(pán)和MP3里用的就是這種存儲器。在過(guò)去的.20年里，嵌入式系統一直使用ROM（EPROM）作為它們的存儲設備，然而近年來(lái)Flash全面代替了ROM（EPROM）在嵌入式系統中的地位，用作存儲Bootloader以及操作系統或者程序代碼或者直接當硬盤(pán)使用（U盤(pán)）。

　　Flash ROM

　　是利用浮置柵上的電容存儲電荷來(lái)保存信息，因為浮置柵不會(huì )漏電，所以斷電后信息仍然可以保存。也由于其機構簡(jiǎn)單所以集成度可以做的很高，容量可以很大。Flash rom寫(xiě)入前需要用電進(jìn)行擦除，而且擦除不同與EEPROM可以以byte(字節)為單位進(jìn)行，flash rom只能以sector(扇區)為單位進(jìn)行。不過(guò)其寫(xiě)入時(shí)可以byte為單位。flash rom主要用于bios，U盤(pán)，Mp3等需要大容量且斷電不丟數據的設備。目前Flash主要有兩種NOR Flash和NADN Flash。NOR Flash的讀取和我們常見(jiàn)的SDRAM的讀取是一樣，用戶(hù)可以直接運行裝載在NOR FLASH里面的代碼，這樣可以減少SRAM的容量從而節約了成本。

　　NAND Flash沒(méi)有采取內存的隨機讀取技術(shù)，它的讀取是以一次讀取一塊的形式來(lái)進(jìn)行的，通常是一次讀取512個(gè)字節，采用這種技術(shù)的Flash比較廉價(jià)。用戶(hù)不能直接運行NAND Flash上的代碼，因此好多使用NAND Flash的開(kāi)發(fā)板除了使用NAND Flah以外，還作上了一塊小的NOR Flash來(lái)運行啟動(dòng)代碼。 一般小容量的用NOR Flash，因為其讀取速度快，多用來(lái)存儲操作系統等重要信息，而大容量的用NAND FLASH，最常見(jiàn)的NAND FLASH應用是嵌入式系統采用的DOC（Disk On Chip）和我們通常用的"閃盤(pán)"，可以在線(xiàn)擦除。目前市面上的FLASH 主要來(lái)自Intel，AMD，Fujitsu和Toshiba，而生產(chǎn)NAND Flash的主要廠(chǎng)家有Samsung和Toshiba。

　　NAND Flash和NOR Flash的比較

　　NOR和NAND是現在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開(kāi)發(fā)出NOR flash技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統天下的局面。緊接著(zhù)，1989 年，東芝公司發(fā)表了NAND flash結構，強調降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盤(pán)一樣可以通過(guò)接口輕松升級。但是經(jīng)過(guò)了十多年之后，仍然有相當多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存。象"flash存儲器"經(jīng)�？梢耘c相"NOR存儲器"互換使用。許多業(yè)內人士也搞不清楚NAND閃存技術(shù)相對于NOR技術(shù)的優(yōu)越之處，因為大多數情況下閃存只是用來(lái)存儲少量的代碼，這時(shí)NOR閃存更適合一些。而NAND則是高數據存儲密度的理想解決方案。

　　NOR是現在市場(chǎng)上主要的非易失閃存技術(shù)。NOR一般只用來(lái)存儲少量的代碼；NOR主要應用在代碼存儲介質(zhì)中。NOR的特點(diǎn)是應用簡(jiǎn)單、無(wú)需專(zhuān)門(mén)的接口電路、傳輸效率高，它是屬于芯片內執行(XIP, eXecute In Place)，這樣應用程序可以直接在（NOR型）flash閃存內運行，不必再把代碼讀到系統RAM中。在1～4MB的小容量時(shí)具有很高的成本效益，但是很低的寫(xiě)入和擦除速度大大影響了它的性能。NOR flash帶有SRAM接口，有足夠的地址引腳來(lái)尋址，可以很容易地存取其內部的每一個(gè)字節。NOR flash占據了容量為1～16MB閃存市場(chǎng)的大部分。

　　NAND結構能提供極高的單元密度，可以達到高存儲密度，并且寫(xiě)入和擦除的速度也很快。應用NAND的困難在于flash的管理和需要特殊的系統接口。

　　1、性能比較:

　　flash閃存是非易失存儲器，可以對稱(chēng)為塊的存儲器單元塊進(jìn)行擦寫(xiě)和再編程。任何flash器件的寫(xiě)入操作只能在空或已擦除的單元內進(jìn)行，所以大多數情況下，在進(jìn)行寫(xiě)入操作之前必須先執行擦除。NAND器件執行擦除操作是十分簡(jiǎn)單的，而NOR則要求在進(jìn)行擦除前先要將目標塊內所有的位都寫(xiě)為1。

　　由于擦除NOR器件時(shí)是以64～128KB的塊進(jìn)行的，執行一個(gè)寫(xiě)入/擦除操作的時(shí)間為5s，與此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的塊進(jìn)行的，執行相同的操作最多只需要4ms。執行擦除時(shí)塊尺寸的不同進(jìn)一步拉大了NOR和NADN之間的性能差距，統計表明，對于給定的一套寫(xiě)入操作(尤其是更新小文件時(shí))，更多的擦除操作必須在基于NOR的單元中進(jìn)行。這樣，當選擇存儲解決方案時(shí)，設計師必須權衡以下的各項因素：

　　● NOR的讀速度比NAND稍快一些。

　　● NAND的寫(xiě)入速度比NOR快很多。

　　● NAND的4ms擦除速度遠比NOR的5s快。

　　● 大多數寫(xiě)入操作需要先進(jìn)行擦除操作。

　　● NAND的擦除單元更小，相應的擦除電路更少。

　　(注：NOR FLASH SECTOR擦除時(shí)間視品牌、大小不同而不同，比如，4M FLASH，有的SECTOR擦除時(shí)間為60ms，而有的需要最大6s。)

　　2、接口差別:

　　NOR flash帶有SRAM接口，有足夠的地址引腳來(lái)尋址，可以很容易地存取其內部的每一個(gè)字節。

　　NAND器件使用復雜的I/O口來(lái)串行地存取數據，各個(gè)產(chǎn)品或廠(chǎng)商的方法可能各不相同。8個(gè)引腳用來(lái)傳送控制、地址和數據信息。NAND讀和寫(xiě)操作采用512字節的塊，這一點(diǎn)有點(diǎn)像硬盤(pán)管理此類(lèi)操作，很自然地，基于NAND的存儲器就可以取代硬盤(pán)或其他塊設備。

　　3、容量和成本:

　　NAND flash的單元尺寸幾乎是NOR器件的一半，由于生產(chǎn)過(guò)程更為簡(jiǎn)單，NAND結構可以在給定的模具尺寸內提供更高的容量，也就相應地降低了價(jià)格。

　　NOR flash占據了容量為1～16MB閃存市場(chǎng)的大部分，而NAND flash只是用在8～128MB的產(chǎn)品當中，這也說(shuō)明NOR主要應用在代碼存儲介質(zhì)中，NAND適合于數據存儲，NAND在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和MMC存儲卡市場(chǎng)上所占份額最大。

　　4、可靠性和耐用性:

　　采用flahs介質(zhì)時(shí)一個(gè)需要重點(diǎn)考慮的問(wèn)題是可靠性。對于需要擴展MTBF的系統來(lái)說(shuō)，Flash是非常合適的存儲方案�？梢詮膲勖�(耐用性)、位交換和壞塊處理三個(gè)方面來(lái)比較NOR和NAND的可靠性。

　　A) 壽命(耐用性)

　　在NAND閃存中每個(gè)塊的最大擦寫(xiě)次數是一百萬(wàn)次，而NOR的擦寫(xiě)次數是十萬(wàn)次。NAND存儲器除了具有10比1的塊擦除周期優(yōu)勢，典型的NAND塊尺寸要比NOR器件小8倍，每個(gè)NAND存儲器塊在給定的時(shí)間內的刪除次數要少一些。

　　B) 位交換

　　所有flash器件都受位交換現象的困擾。在某些情況下(很少見(jiàn)，NAND發(fā)生的次數要比NOR多)，一個(gè)比特(bit)位會(huì )發(fā)生反轉或被報告反轉了。一位的變化可能不很明顯，但是如果發(fā)生在一個(gè)關(guān)鍵文件上，這個(gè)小小的故障可能導致系統停機。

　　如果只是報告有問(wèn)題，多讀幾次就可能解決了。當然，如果這個(gè)位真的改變了，就必須采用錯誤探測/錯誤更正(EDC/ECC)算法。位反轉的問(wèn)題更多見(jiàn)于NAND閃存，NAND的供應商建議使用NAND閃存的時(shí)候，同時(shí)使用EDC/ECC算法。這個(gè)問(wèn)題對于用NAND存儲多媒體信息時(shí)倒不是致命的。當然，如果用本地存儲設備來(lái)存儲操作系統、配置文件或其他敏感信息時(shí)，必須使用EDC/ECC系統以確�？煽啃�。

　　C) 壞塊處理

　　NAND器件中的壞塊是隨機分布的。以前也曾有過(guò)消除壞塊的努力，但發(fā)現成品率太低，代價(jià)太高，根本不劃算。NAND器件需要對介質(zhì)進(jìn)行初始化掃描以發(fā)現壞塊，并將壞塊標記為不可用。在已制成的器件中，如果通過(guò)可靠的方法不能進(jìn)行這項處理，將導致高故障率。

　　5、易于使用:

　　可以非常直接地使用基于NOR的閃存，可以像其他存儲器那樣連接，并可以在上面直接運行代碼。

　　由于需要I/O接口，NAND要復雜得多。各種NAND器件的存取方法因廠(chǎng)家而異。

　　在使用NAND器件時(shí)，必須先寫(xiě)入驅動(dòng)程序，才能繼續執行其他操作。向NAND器件寫(xiě)入信息需要相當的技巧，因為設計師絕不能向壞塊寫(xiě)入，這就意味著(zhù)在NAND器件上自始至終都必須進(jìn)行虛擬映射。

　　6、軟件支持:

　　當討論軟件支持的時(shí)候，應該區別基本的讀/寫(xiě)/擦操作和高一級的用于磁盤(pán)仿真和閃存管理算法的軟件,包括性能優(yōu)化。在NOR器件上運行代碼不需要任何的軟件支持，在NAND器件上進(jìn)行同樣操作時(shí)，通常需要驅動(dòng)程序，也就是內存技術(shù)驅動(dòng)程序(MTD)，NAND和NOR器件在進(jìn)行寫(xiě)入和擦除操作時(shí)都需要MTD。使用NOR器件時(shí)所需要的MTD要相對少一些，許多廠(chǎng)商都提供用于NOR器件的更高級軟件，這其中包括M-System的TrueFFS驅動(dòng)，該驅動(dòng)被Wind River System、Microsoft、QNX Software System、Symbian和Intel等廠(chǎng)商所采用。驅動(dòng)還用于對DiskOnChip產(chǎn)品進(jìn)行仿真和NAND閃存的管理，包括糾錯、壞塊處理和損耗平衡。

　　NOR FLASH的主要供應商是INTEL ,MICRO等廠(chǎng)商，曾經(jīng)是FLASH的主流產(chǎn)品，但現在被NAND FLASH擠的比較難受。它的優(yōu)點(diǎn)是可 以直接從FLASH中運行程序，但是工藝復雜，價(jià)格比較貴。

　　NAND FLASH的主要供應商是SAMSUNG和東芝，在U盤(pán)、各種存儲卡、MP3播放器里面的都是這種FLASH，由于工藝上的不同，它比NOR FLASH擁有更大存儲容量，而且便宜。但也有缺點(diǎn)，就是無(wú)法尋址直接運行程序，只能存儲數據。另外NAND FLASH非常容易出現壞區，所以需要有校驗的算法。

　　在掌上電腦里要使用NAND FLASH 存儲數據和程序，但是必須有NOR FLASH來(lái)啟動(dòng)。除了SAMSUNG處理器，其他用在掌上電腦的主流處理器還不支持直接由NAND FLASH 啟動(dòng)程序。因此，必須先用一片小的NOR FLASH 啟動(dòng)機器，在把OS等軟件從NAND FLASH 載入SDRAM中運行才行，挺麻煩的。

筆記本內存條知識5

　　筆記本電腦內存故障較少，尤其是原裝內存。如果內存出現問(wèn)題，系統將無(wú)法啟動(dòng)。根據使用的BIOS的不同，有不同的報警聲，多數為連續不斷的長(cháng)嘀 聲，或者是連續不斷的短嘀聲。

　　解決的方法是打開(kāi)內存槽的蓋板更換內存，通常不用購買(mǎi)原裝內存(價(jià)格昂貴)。注意筆記本電腦使用的內存與臺式機不同，長(cháng)度只有臺式機內存的一半。

　　1．內存不規范：目前大多數筆記本電腦使用的是PC100或者PC133規格的內存；這些內存都應該有一個(gè)SPD芯片來(lái)存儲內存的基本參數和規格，以提供BIOS識別和系統調用，但是一些雜牌的內存是沒(méi)有SPD芯片或者是只用一塊針腳相同的空芯片來(lái)冒充SPD芯片。這樣的內存能用便是僥幸，穩定性毫無(wú)保障，對于沒(méi)有SPD芯片的內存，不管價(jià)格多么便宜都建議你不要購買(mǎi)。此外，有些較老的機器使用的是144針的.EDO內存，這種內存和SDRAM 的封裝完全相同，外觀(guān)也看不出來(lái)，最高容量為128M，不過(guò)其工作電壓為5V而不是SDRAM的3.3V，如果誤插了SDRAM就很可能被燒毀。

　　2．內存的形狀問(wèn)題：主要是指內存的高度和厚度問(wèn)題，因為采用單面封裝因此比較薄，當年的一些筆記本電腦沒(méi)有在內存插槽中預留足夠的空間，結果就是現在的大容量高板雙面內存安裝不下。

　　3．內存的兼容性問(wèn)題：這個(gè)問(wèn)題對于Compaq和IBM的超輕薄機器尤為常見(jiàn)，即使是KingSton；KingMax這樣的內存大牌子也可能出現問(wèn)題，因此最好不要不試機就盲目的買(mǎi)，插上內存條認到正確的容量是基本的要求，如果是機器都開(kāi)不了的黑屏或者嘀嘀的報錯那就根本不用考慮，然后將機器置于待機狀態(tài)，看看能否正常的喚醒。最好是可以用一些內存測試軟件（推薦DocMem）跑一下看看穩定性如何。

　　4．耗電量和發(fā)熱問(wèn)題：許多用戶(hù)在升級內存后發(fā)現自己的電池壽命縮短了，而且整機的發(fā)熱加大，這主要是新加入的內存在工作的時(shí)候發(fā)熱所至，通常兩條內存的機器比一條內存的機器熱一些（兩個(gè)發(fā)熱源），而且內存工作的時(shí)候是需要耗電的，耗電量加大也是正常。

　　5．最大內存支持的問(wèn)題：目前市面上所銷(xiāo)售的筆記本電腦內存從單條64M到單條256M（SDRAM）都有。有時(shí)我們會(huì )遇到單條256M只認成128M的情況，這就是最大內存支持的問(wèn)題，這個(gè)問(wèn)題和主板的芯片組及筆記本電腦的BIOS都有關(guān)系，至于廠(chǎng)商的BIOS也對最大內存總量有影響，如果廠(chǎng)商在BIOS中限制了最大的內存量，則無(wú)論如何都不可能超過(guò)這個(gè)設置。

　　6．關(guān)于專(zhuān)用內存：專(zhuān)用內存通常用于超輕薄的小機器，是廠(chǎng)商為了減小機器的體積而設計的，Toshiba，SONY，Fujitsu和 Sharp等日系廠(chǎng)家最喜歡這樣做。而歐美的廠(chǎng)家則極少有采用專(zhuān)用內存的產(chǎn)品。

　　由于是為特定機器定做，這些內存的成本較高，相應的售價(jià)昂貴，但是不會(huì )有兼容性和質(zhì)量問(wèn)題，在選購內存之前，請注意你自己的機器是否是專(zhuān)用內存。下圖就是SONY和Toishiba機器專(zhuān)用內存與筆記本電腦通用SODIMM內存的比較。

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