微電子器件物理第九章測試題
問(wèn)題：
1．例舉出芯片廠(chǎng)中6個(gè)不同的生產(chǎn)區域并對每一個(gè)生產(chǎn)區域做簡(jiǎn)單描述。（20分）
2．離子注入前一般需要先生長(cháng)氧化層，其目的是什么？（10分）
3．離子注入后為什么要進(jìn)行退火？（10分）
4．光刻和刻蝕的目的是什么？（20分）
5．為什么要采用LDD工藝？它是如何減小溝道漏電流的？（10分）
6．為什么晶體管柵結構的形成是非常關(guān)鍵的工藝？更小的柵長(cháng)會(huì )引發(fā)什么問(wèn)題？（10分）
7、描述金屬復合層中用到的材料？(10分)
8、STI隔離技術(shù)中，為什么采用干法離子刻蝕形成槽？(10分)
答案：
1.答：芯片廠(chǎng)中通常分為擴散區、光刻區、刻蝕區、離子注入區、薄膜生長(cháng)區和拋光區6個(gè)生產(chǎn)區域：
�、� 擴散區是進(jìn)行高溫工藝及薄膜積淀的區域，主要設備是高溫爐和濕法清洗設備；
�、诠饪虆^是芯片制造的心臟區域，使用黃色熒光管照明，目的是將電路圖形轉移到覆蓋于硅片表面的光刻膠上；
�、劭涛g工藝是在硅片上沒(méi)有光刻膠保護的地方留下永久的圖形；
�、茈x子注入是用高壓和磁場(chǎng)來(lái)控制和加速帶著(zhù)要摻雜的雜質(zhì)的氣體；高能雜質(zhì)離子穿透涂膠硅片的表面，形成目標硅片；
�、荼∧どL(cháng)主要負責生產(chǎn)各個(gè)步驟中的介質(zhì)層與金屬層的淀積。
�、迴伖�，即CMP（化學(xué)機械平坦化）工藝的目的是使硅片表面平坦化
2.答：氧化層保護表面免污染，免注入損傷，控制注入溫度
3.推進(jìn)，激活雜質(zhì)，修復損傷。
4.光刻的目的是將電路圖形轉移到覆蓋于硅片表面的光刻膠上，而刻蝕的目的是在硅片上無(wú)光刻膠保護的地方留下永久的圖形。即將圖形轉移到硅片表面
5.溝道長(cháng)度的縮短增加了源漏穿通的可能性，將引起不需要的漏電流，所以需要采用LDD工藝。輕摻雜漏注入使砷和BF2這些較大質(zhì)量的摻雜材料使硅片的上表面成為非晶態(tài)。大質(zhì)量材料和表面非晶態(tài)的結合有助于維持淺結，從而減少源漏間的溝道漏電流效應
6.因為它包括了最薄的柵氧化層的熱生長(cháng)以及多晶硅柵的`刻印和刻蝕，而后者是整個(gè)集成電路工藝中物理尺度最小的結構。多晶硅柵的寬度通常是整個(gè)硅片上最關(guān)鍵的CD線(xiàn)寬。隨著(zhù)柵的寬度不斷減少，柵結構（源漏間的硅區域）下的溝道長(cháng)度也不斷減少。晶體管中溝道長(cháng)度的減少增加了源漏間電荷穿通的可能性，并引起了不希望的溝道漏電流。
7.
�。�1）淀積Ti，使鎢塞和下一層金屬良好鍵合，層間介質(zhì)良好鍵合；
�。�2）Al,Au合金，加入銅抗電遷移
�。�3）TiN作為下一次光刻的抗反射層
8.采用干法刻蝕，是為了保證深寬比
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