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基于有源吸聲單元的聲隱身技術(shù)研究論文

時(shí)間:2021-04-16 09:51:35 論文 我要投稿

基于有源吸聲單元的聲隱身技術(shù)研究論文

  摘 要:對聲隱身技術(shù)現狀進(jìn)行了概括,提出開(kāi)展主動(dòng)吸聲層研究的必要性;構建了基于有源吸聲單元的主動(dòng)吸聲層模型,并對吸聲單元的吸聲性能進(jìn)行了理論分析及計算機仿真研究,驗證了該方案的可行性。

基于有源吸聲單元的聲隱身技術(shù)研究論文

  關(guān)鍵詞:聲隱身;有源聲學(xué)結構;吸聲

  引言

  隨著(zhù)現代戰爭向電子戰、信息戰方向的發(fā)展,軍事目標的隱身性能成為決定其生存能力及戰斗力的重要指標。對于海軍,其主要偵察手段多是利用聲波進(jìn)行的,假如設備的輻射噪聲比較高,會(huì )降低自身的隱蔽性而受到攻擊;另一方面,為了獲得更好的隱身性能,還需要考慮如何應對主動(dòng)聲吶的探測。如果能將聲吶的探測波有效的進(jìn)行吸收,使回波減弱,則可大大加強目標的隱身性能;诖,本文提出了一種應用有源吸聲單元構建吸聲層,以提高目標聲隱身性能的方法。

  1. 聲隱身技術(shù)現狀

  在現代檢測技術(shù)條件下,軍事目標特征包括電磁特征、光學(xué)特征、聲學(xué)特征以及尾流特征等。由于水中環(huán)境的特殊性,只有聲探測可以達到遠程[1],因此對于海軍而言,聲隱身性能尤為重要。潛艇以其隱蔽性和機動(dòng)性等特點(diǎn)成為各國發(fā)展的重點(diǎn)[2]。然而隨著(zhù)聲吶及信號處理技術(shù)的迅猛發(fā)展,潛艇的隱蔽性受到了極大的威脅,提高潛艇聲隱身性能成為近年來(lái)研究的熱點(diǎn)。

  由于主動(dòng)聲吶技術(shù)的廣泛應用,不僅是潛艇本身的輻射噪聲,甚至是艇體表面對聲吶探測波的反射都成為了暴露目標的致命因素。為了降低艇體對聲波的.反射,目前各國的潛艇大部分都敷設了消聲瓦。消聲瓦是一種利用材料的聲學(xué)性能實(shí)現吸聲的無(wú)源控制方式。研究表明,這種控制方式對高頻聲波的控制效果較好,而對低頻聲波控制不佳[3]。隨著(zhù)聲吶技術(shù)不斷向大功率、低頻段方向發(fā)展,普通的被動(dòng)消聲瓦已無(wú)法滿(mǎn)足潛艇聲隱身的需要,因此各國相繼開(kāi)展了主動(dòng)消聲瓦的研究,然而由于種種原因的限制,目前該技術(shù)還未發(fā)展到大規模應用階段。

  2. 應用有源吸聲單元構建主動(dòng)吸聲層

  對于主動(dòng)消聲瓦的研究,屬于有源吸聲的研究范疇。其根本思路在于利用次級力源或次級聲源向外輻射的聲波,與聲吶的探測波產(chǎn)生相消性干涉,實(shí)現“以聲消聲”,并利用誤差傳感器及自適應控制器實(shí)現對次級源的實(shí)時(shí)控制。系統如圖1所示。但是次級源及誤差傳感器的個(gè)數及布放位置強烈依賴(lài)于外界環(huán)境,且為增大控制面積而采用的多通道系統也使系統的復雜程度增加,穩定性和實(shí)時(shí)性下降。鑒于以上原因,本文借鑒有源聲學(xué)結構的相關(guān)理論,提出了一種基于有源吸聲單元的主動(dòng)吸聲層構建方案。

  圖1 有源吸聲系統示意圖

  在每個(gè)吸聲單元中,包括了次級聲源和誤差傳感器,通過(guò)控制次級聲源的輸出,實(shí)現總反射聲功率最小,達到吸聲的目的。由于每個(gè)吸聲單元擁有獨立的誤差傳感器及控制器,故可通過(guò)多個(gè)吸聲單元的組合,實(shí)現大面積有源吸聲層的構建,而整個(gè)控制系統算法的復雜度卻不會(huì )因此而增加。

  3. 有源吸聲效果分析

  由于每個(gè)吸聲單元相對獨立,因此對其吸聲效果進(jìn)行分析時(shí),可將重點(diǎn)放在單個(gè)吸聲單元模型的分析上。模型中初、次級板平行,且間距遠小于頻段內聲波波長(cháng)。采用聲功率近場(chǎng)計算方法,可得到吸聲單元的總反射聲功率為:

  其中為傳輸阻抗矩陣,為總法向振速,可表示為次級控制力向量的函數:

  結合式(1)、(2)可以看出,總反射聲功率是的二次型函數,可求得唯一的一組控制力向量使得反射聲功率最小,此時(shí)的即為吸聲結構的最優(yōu)控制力向量。最優(yōu)控制力向量及最小反射聲功率分別為:

  式中,C、D、E的表達式見(jiàn)文獻[4]。

  對吸聲單元進(jìn)行算例仿真。仿真中,著(zhù)重關(guān)注300Hz以下頻率范圍內的聲反射及吸收問(wèn)題。在次級源作用前后,吸聲結構的總反射聲功率對比如圖2所示。圖中實(shí)線(xiàn)及虛線(xiàn)分別表示次級源作用前、后結構總反射聲功率。從圖中可以看出,次級源作用后,總反射聲功率有所下降,也就是說(shuō)吸聲單元具有一定的吸聲性能。在低頻段,控制前后的總反射聲功率相差較大,隨著(zhù)頻率的升高,吸聲效果逐漸減弱,說(shuō)明有源控制適用于對低頻聲的吸收。

  圖2 有源控制前后吸聲單元的反射聲功率

  結論

  本文對國內外聲隱身技術(shù)的現狀進(jìn)行了研究,可以看到,目前廣泛采用的被動(dòng)消聲瓦對低頻聲波的吸收性能很差,在應用上存在一定的局限。結合有源聲學(xué)結構的特點(diǎn),提出了一種基于有源吸聲單元的聲隱身技術(shù),并對吸聲單元進(jìn)行了建模及仿真分析,驗證了對低頻聲波的吸收性能。吸聲單元可結合誤差傳感器及控制器,通過(guò)一定的自適應算法,實(shí)現對吸聲效果的實(shí)時(shí)控制。利用有源吸聲單元的組合,可構建大面積主動(dòng)吸聲層,提高裝備的聲隱身性能。

  參考文獻:

  [1] 林立,俞孟薩等. 國外水面艦艇聲隱身設計及控制技術(shù)概述[J]. 艦船科學(xué)技術(shù), 2005,27(2):92-96.

  [2] 俞曉麗. 聲學(xué)覆蓋層聲阻抗測量方法及復合結構聲反射預報研究[D]. 碩士學(xué)位論文, 哈爾濱工程大學(xué), 2006.

  [3] 陳克安,尹雪飛. 低頻聲有源吸收理論研究[J]. 振動(dòng)與沖擊, 2000,19(1):71-74.

  [4] 陸晶,陳克安,李雙. 平面結構有源聲吸收理論研究[J]. 噪聲與振動(dòng)控制,2009,29(4):111-115.

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