半導體工藝化學(xué)實(shí)驗報告
實(shí)驗名稱(chēng)：硅片的清洗
實(shí)驗目的：1.熟悉清洗設備
2.掌握清洗流程以及清洗前預準備
實(shí)驗設備：1.半導體兆聲清洗機（SFQ-1006T）
2.SC-1；SC-2
實(shí)驗背景及原理：
清洗的目的在于清除表面污染雜質(zhì)，包括有機物和無(wú)機物。這些雜質(zhì)有的以原子狀態(tài)或離子狀態(tài)，有的`以薄膜形式或顆粒形式存在于硅片表面。有機污染包括光刻膠、有機溶劑殘留物、合成蠟和人接觸器件、工具、器皿帶來(lái)的油脂或纖維。無(wú)機污染包括重金屬金、銅、鐵、鉻等，嚴重影響少數載流子壽命和表面電導；堿金屬如鈉等，引起嚴重漏電；顆粒污染包括硅渣、塵埃、細菌、微生物、有機膠體纖維等，會(huì )導致各種缺陷。清除污染的方法有物理清洗和化學(xué)清洗兩種。
我們這里所用的的是化學(xué)清洗。清洗對于微米及深亞微米超大規模集成電路的良率有著(zhù)極大的影響。SC-1及SC-2對于清除顆粒及金屬顆粒有著(zhù)顯著(zhù)的作用。
實(shí)驗步驟：
1. 清洗前準備工作：
儀器準備：
�、贌那逑�、干燥
�、谇逑礄C的預準備：開(kāi)總閘門(mén)、開(kāi)空氣壓縮機；開(kāi)旋轉總電源（清洗設備照明自動(dòng)開(kāi)啟）； 將急停按鈕旋轉拉出，按下旁邊電源鍵；緩慢開(kāi)啟超純水開(kāi)關(guān)，角度小于45o；根據需要給1#、2#槽加熱，正式試驗前提前一小時(shí)加熱，加熱上限為200o。本次實(shí)驗中選用了80℃為反應溫度。
�、跾C-1及SC-2的配置：
我們配制體積比例是1:2:5，所以選取溶液體積為160ml，對SC-1 NH4OH：H2O2：H2O=20:40:100ml，對SC-2 HCl：H2O2：H2O=20:40:100ml。
2. 清洗實(shí)際步驟：
�、� 1#號槽中放入裝入1號液的燒杯，待溫度與槽中一樣后，放入硅片，加熱10min,然后超純水清洗。
�、� 2#號槽中放入裝入2號液的燒杯，待溫度與槽中一樣后，放入硅片，加熱10min,然后超純水清洗。
�、� 兆聲清洗10分鐘，去除顆粒
�、� 利用相似相溶原理，使用乙醇去除有機物，然后超純水清洗并吹干。
實(shí)驗結果：
利用顯微鏡觀(guān)察清洗前后硅片圖像表面
清洗前硅片照片
清洗后的硅片照片
實(shí)驗總結：
清洗過(guò)后明顯地發(fā)現硅片表面不像原來(lái)那樣油膩，小顆粒明顯減少。說(shuō)明我們此次使用實(shí)驗方法是正確的，實(shí)驗結果較為成功。
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